PN8161通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的優(yōu)秀效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)，驪微電子代理的PN8161廣泛被應(yīng)用于充電器、適配器、開(kāi)放式開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。

PN8161高性能準(zhǔn)諧振交直流轉(zhuǎn)換芯片內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、周期式過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。

谷底開(kāi)通
PN8161是一款工作于準(zhǔn)諧振模式的集成芯片，通過(guò)DMG檢測(cè)到的消磁信號(hào)實(shí)現(xiàn)精確谷底開(kāi)
通，以提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。在PWM模式，由第一谷底產(chǎn)生開(kāi)啟信號(hào)，工作頻率由系統(tǒng)設(shè)計(jì)的變壓器參數(shù)決定，高工作頻率限制在125kHz。
過(guò)溫保護(hù)
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測(cè)MOSFET的溫度。當(dāng)溫度超
145℃，芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。
降頻工作模式
PN8161提供降頻工作模式，通過(guò)檢測(cè)FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開(kāi)關(guān)頻率以提高輕載效率。當(dāng)FB腳電壓小于 V FB_PFM ，芯片進(jìn)入降頻工作模式，開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載降低而降低，直至小頻率25kHz。

軟啟動(dòng)
啟動(dòng)階段，漏極的大峰值電流限制逐步的提高；可以大大減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。軟啟動(dòng)時(shí)間典型值為3.2ms。
輸出驅(qū)動(dòng)
PN8161采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，通過(guò)合理的輸出驅(qū)動(dòng)能力以及死區(qū)時(shí)間，得到較好的EMI特性和較低損耗。
PN8161功能描述:
啟動(dòng)：
在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)管提供1mA電流對(duì)外部V DD 電容進(jìn)行充電。當(dāng)V DD 電壓達(dá)到 VDDon ，芯片開(kāi)始工作；高壓?jiǎn)?dòng)管停止對(duì)V DD 電容充電。啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后，變壓器輔助繞組對(duì)V DD 電容提供能量。

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